Huawei no pudo usar la tecnologia de grabado ultra -ultravioleta (EUV) debido a la prohibicion de los Estados Unidos, pero ha encontrado su propia solucion de los socios nacionales. El Departamento de Investigacion y Desarrollo (I + D) de la Compañia esta aplicando dos metodos al nuevo chip de 3NM.
En particular, la arquitectura de GAA (GATE-LEL-AROUND) esta siendo utilizada por TSMC y Samsung. Esta es una estructura de semiconductores avanzado, que ayuda a mejorar el rendimiento, reduce la capacidad de consumo y mejore la capacidad de expandir los dispositivos electronicos. Ademas, la puerta del transistor esta completamente rodeada por el canal, lo que permite un mejor control del flujo de corriente, ayudando a mejorar el rendimiento y reducir la capacidad de consumo.
Huawei aplica el metodo restante en funcion de la tecnologia de nano tuberia de carbono en lugar de los semiconductores de silicio tradicionales. El tubo tiene una pequeña estructura cilindrica, compuesta de atomos de carbono hexagonal, lo que permite que el electron (carga electrica) funcione con una resistencia minima.
Segun United Daily News, el desarrollo del chip de 3NM de Huawei basado en esta tecnologia ahora ha completado el proceso de verificacion en el laboratorio, que se ajusta a la linea de produccion de SMIC y esta presente en el mercado el proximo año.
La prediccion de Gizchina, el chip de 3NM el proximo año aun puede usar el metodo de produccion de Kirin X90 aprovechando las maquinas DUV, lo que significa que la salida puede ser limitada y de alto costo.
