Littelfuse un grupo estadounidense de tecnologia industrial multisectorial acaba de anunciar el MOSFET (un tipo de componente semiconductor muy comun en dispositivos electronicos) de potencia superconstriccion X4 llamado MMIX1T500N20X4.
Este es un MOSFET de canal N con un voltaje de estado de encendido muy bajo de solo 1 99 mΩ. El dispositivo ayuda a reducir las perdidas de conductividad y mejora la gestion del calor en diseños de alta densidad de potencia.
El producto utiliza un paquete SMPD X de ceramica con una capacidad de aislamiento de 2.500 V y soporte de refrigeracion desde la parte superior. Gracias a esto el enfriamiento es mas simple y la fiabilidad mejorada. El dispositivo proporciona una corriente de alimentacion estandar de 480A. Esto permite reducir el numero de componentes paralelos en el sistema lo que ayuda a un diseño mas compacto y aumenta la eficiencia general.
Segun Littelfuse la fusion de varios MOSFET de baja gama en un dispositivo de alta gama ayuda a reducir el numero de componentes asi como a simplificar el control. Al mismo tiempo el sistema alcanza una mayor densidad de potencia y ayuda a optimizar el area de la placa base.
MMIX1T500N20X4 es adecuado para aplicaciones que utilizan grandes corrientes como interruptores de carga DC sistemas de almacenamiento de energia de baterias equipos de fuentes industriales infraestructura de carga y equipos electronicos de potencia para aviones no tripulados.
El producto esta disponible a traves de distribuidores autorizados de Littelfuse.
